PTTC.PNG
Skip to main content.

реактивное ионное травление
Дата последнего изменения:2012.11.01
Сообщить об ошибке
  реактивное ионное травление
 Разновидность плазменного травления, при котором полупроводниковая подложка во время травления помещается электрод, питаемый ВЧ мощностью. Подложка приобретает потенциал, которым ускоряются травящие реагенты, извлеченные из плазмы по направлению к протравливаемой поверхности; реакция химического травления при этом происходит преимущественно в направлении, перпендикулярном к поверхности, то есть травление более анизотропно, чем при плазменном травлении, но менее избирательно; происходит повреждение протравливаемой поверхности; наиболее распространенный режим травления при производстве полупроводников.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html]
EN

FR

Тематики

  • полупроводниковые приборы

EN

  • RIE

 

Внимание!

Закрыть