|
молекулярно-лучевая эпитаксия
Процесс физического осаждения, (в основном из паровой фазы), выполняется в сверхвысоком вакууме (ниже 10-8 торр) и при температуре подложки, обычно не превышающей 800 oC; свободный (молекулярный) поток реагентов для осаждения и химическая чистота поверхности подложки позволяют получить хорошо управляемый рост ультратонких эпитаксиальных слоев; метод осаждения с высочайшей точностью, используемый при обработке полупроводников.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html] |
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- MBE
- Molecular Beam Epitaxy
|