PTTC.PNG
Skip to main content.

молекулярно-лучевая эпитаксия

Дата последнего изменения:2012.11.01
Сообщить об ошибке
  молекулярно-лучевая эпитаксия
Процесс физического осаждения, (в основном из паровой фазы), выполняется в сверхвысоком вакууме (ниже 10-8 торр) и при температуре подложки, обычно не превышающей 800 oC; свободный (молекулярный) поток реагентов для осаждения и химическая чистота поверхности подложки позволяют получить хорошо управляемый рост ультратонких эпитаксиальных слоев; метод осаждения с высочайшей точностью, используемый при обработке полупроводников.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html]
EN
 
FR
 

Тематики

  • полупроводниковые приборы

EN

  • MBE
  • Molecular Beam Epitaxy

 

Внимание!

Закрыть