|
|
выращивание монокристаллов
Получение (изготовл.) вещ-в в виде объемных монокристаллов или монокристаллич. эпитаксиальных слоев и пленок кристаллизацией расплавов или из паровой (газовой) фазы.
В основе методов в. м.из расплавов — кристаллизация в тепловом поле, имеющем заданный градиент темп-ры, к-рый определяет направление потока тепла и, соответственно, направление кристаллизации. Такая кристаллизация называется направленной кристаллизацией.
На рис. 1, а приведена схема вертик. устр-ва для выращивания монокристаллов методом Бриджмена. Процесс направленной кристаллизации ведется в герметичных ампулах-контейнерах, в к-рых создан или вакуум, или атмосфера инертного газа. Обычно в кач-ве зародыша кристаллизации используют небольшой монокристалл вещ-ва необходимой кристаллографич. ориентации, который получил название затравки 5. Для направленной кристаллизации перемещают ампулу 2 относит, градиентного темп-рного поля. Такое перемещение достигается или опусканием ампулы 2, или подъемом узла нагрева 1. Диам. монокристалла определяется геометрич. размерами ампулы. При использовании ампул из кварца наиб. размер монокристаллов в попереч. сечении редко превышает 50 мм.
[http://metaltrade.ru/abc/a.htm] |
|
EN |
|
|
FR |
|
|
EN
- monocrystals growing
- single crystals growing
|
