тепловое сопротивление переход-корпус (полупроводникового знакосинтезирующего индикатора)

Дата последнего изменения:2011.12.17
Сообщить об ошибке

	тепловое сопротивление переход-корпус (полупроводникового знакосинтезирующего индикатора) Р_{т.пер-кор} Отношение разности эффективной температуры контрольной точки на корпусе полупроводникового знакосинтезирующего индикатора к рассеиваемой мощности его в установившемся режиме. [ГОСТ 25066-91]
EN
FR