полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с p-n структурой

Дата последнего изменения:2011.12.04
Сообщить об ошибке

	полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с структурой ППД с p-n структурой Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой p-n перехода. [ГОСТ 18177-81]
EN
FR