PTTC.PNG
Skip to main content.

пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Дата последнего изменения:2011.11.14
Сообщить об ошибке
  пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности.
Обозначение
Uбпрэ
UBR EBO
Примечание
На ФЭПП может действовать равновесное тепловое излучение при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП.
[ГОСТ 21934-83] 
EN  
FR  

Тематики

  • приемники излуч. полупроводн. и фотоприемн. устр.

EN

  • emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

DE

  • Emitter-Basis-Durchbruch -spannung eines Phototransistors

FR

  • tension de claquage émetteur-base de phototransistor

 

Внимание!

Закрыть