|
поликристаллический кремний
polycrystalline silicon
См. "кремний/поликристаллический кремний", 3.1.58е).
[ГОСТ Р 55993-2014]
поликристаллический кремний
pc - Si
polycrystalline silicon
Кремниевый материал, присаженный на чужеродный субстрат слоем толщиной порядка от 10 до 30 мкм с зерном размером от 1 мкм до 1 мм.
Примечание 1
Поликристаллический кремний известен как тонкопленочный.
Примечание 2
Поликристаллический кремний - это также термин, используемый в процессе производства сырьевого кремния.
[ГОСТ Р 55993-2014] |
EN |
polycrystalline silicon
See "silicon/polycrystalline silicon", 3.1.58e).
[IEC 61836, ed. 2.0 (2007-12)]
Reference number: 3.1.47
polycrystalline silicon
(Symbol: pc-Si)
Silicon material deposited on a foreign substrate as a layer with a thickness of 10 µm to 30 µm and a grain size of 1 µm to 1 mm.
Note 1
Polycrystalline silicon is known as thin film pc-Si.
Note 2
Polycrystalline silicon is also a term used in the feedstock silicon fabrication process.
[IEC 61836, ed. 2.0 (2007-12)]
Reference number: 3.1.58 |
FR |
|
|
EN
- pc - Si
- polycrystalline silicon
|