|
избыточное стирание
Поскольку процесс стирания содержимого ячеек энергонезависимой памяти (nonvolatile memory) не является самоограничивающимся, существует опасность чрезмерного воздействия на некоторые запоминающие элементы, так что образуются отрицательные пороговые напряжения (threshold voltage) и происходит отказ памяти. Для предотвращения этого существуют различные способы и средства аппаратной защиты (см. также erase pulse).
[Э.М. Пройдаков, Л.А. Теплицкий] |
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- информационные технологии в целом
|