условие возникновения инверсной населенности

Дата последнего изменения:2015.08.24
Сообщить об ошибке

	условие возникновения инверсной населенности Условие, при котором полупроводник является вырожденным, т. е. все уровни в нижней части зоны проводимости заняты электронами (в п/п n-типа) или в верхней части валентной зоны — дырками (в п/п р-типа) [И.А. Щапова. Англо-русский толковый словарь по оптике и оптоэлектронике. 2012]
EN
FR