|
двойная гетероструктура
Соединение двух таких различных полупроводников, у которых слой материала с более узкой запрещенной зоной располагается между двумя слоями материала с более широкой запрещенной зоной, что приводит к тому, что область сосуществования электронов и дырок («активная область») заключена в тонком среднем слое; это означает, что много больше электронно-дырочных пар будут давать вклад в усиление — не так много их останется на периферии в области с низким усилением; дополнительно, свет будет отражаться от самих гетеропереходов, т. е. излучение будет целиком заключено в области максимально эффективного усиления
[И.А. Щапова. Англо-русский толковый словарь по оптике и оптоэлектронике. 2012] |
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- оптика, оптические приборы и измерения
|