диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника

Дата последнего изменения:2011.03.18
Сообщить об ошибке

	диффузионная длина неосновных носителей заряда полупроводника диффузионная длина Расстояние, на котором в однородном полупроводнике при одномерной диффузии в отсутствие электрического и магнитного полей избыточная концентрация неосновных носителей заряда уменьшается вследствие рекомбинации в е раз. [ГОСТ 22622-77]
EN
FR