PTTC.PNG
Skip to main content.

интеграция ультравысокого уровня

Дата последнего изменения:2013.08.23
Сообщить об ошибке
  интеграция ультравысокого уровня
Технология производства ультрабольших ИС (УБИС), при которой плотность размещения элементов на одном кристалле составляет от 10 млн. до 1 млрд. логических вентилей. При изготовлении таких микросхем используется технологический процесс, обеспечивающий разрешение 0,18 мкм, а в перспективе - разрешения еще меньших значений.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]
EN
 
FR
 

Тематики

  • электросвязь, основные понятия

EN

  • ULSI
  • Ultra Large-Scale Integration

 

Внимание!

Закрыть