|
интеграция ультравысокого уровня
Технология производства ультрабольших ИС (УБИС), при которой плотность размещения элементов на одном кристалле составляет от 10 млн. до 1 млрд. логических вентилей. При изготовлении таких микросхем используется технологический процесс, обеспечивающий разрешение 0,18 мкм, а в перспективе - разрешения еще меньших значений.
[Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002] |
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- электросвязь, основные понятия
EN
- ULSI
- Ultra Large-Scale Integration
|