ферроэлектрическое ОЗУ. Справочник технического переводчика. Интент.

	ферроэлектрическое ОЗУ Тип энергонезависимой памяти, прообразом которой является ОЗУ на магнитных сердечниках. Запоминающая ячейка FRAM выполнена на кристалле сегнетоэлектрика с доменной структурой. Под действием внешнего электрического поля домены в сегнетоэлектрике смещаются и кристалл может находиться в поляризованном состоянии сколь угодно долго. Для изменения его состояния необходимо приложить достаточно сильное поле противоположного направления (коэрцитивное поле). Одно из основных преимуществ FRAM - отсутствие деградации ячеек памяти при многократных циклах перезаписи. [Л.М. Невдяев. Телекоммуникационные технологии. Англо-русский толковый словарь-справочник. Под редакцией Ю.М. Горностаева. Москва, 2002]
EN
FR

ферроэлектрическое ОЗУ