PTTC.PNG
Skip to main content.

транзистор с баллистическим отклонением
Дата последнего изменения:2012.04.26
Сообщить об ошибке
  транзистор с баллистическим отклонением
В транзисторе с баллистическим отклонением (ballistic deflection transistor, BDT) отдельный электрон пропускается через поляризованный затвор и отражается от клиновидного препятствия. Электрическое поле затвора отклоняет электрон к одной или другой стороне канала так, что он отталкивается от правой или от левой грани клина и отражается вправо или влево, что соответствует логическому нулю или логической единице (подробно схему работы технологии можно посмотреть на сайте www.Physorg.com).
[http://www.morepc.ru/dict/]
EN  
FR  

Тематики

  • информационные технологии в целом

EN

  • ballistic deflection transistor
  • BDT

 

Внимание!

Закрыть