PTTC.PNG
Skip to main content.

показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора

Дата последнего изменения:2011.11.17
Сообщить об ошибке
  показатель идеальности вольт-амперной характеристики полупроводникового прибора
Параметр, характеризующий качество полупроводникового прибора и определяемый по формуле
3411,
где q - заряд электрона;
k- постоянная Больцмана;
T- температура в градусах Кельвина;
I1, I2, U1, U2 - токи и соответствующие им напряжения на линейном участке зависимости lgIF = f(UF).
[ГОСТ 25529-82]
EN  
FR  

Тематики

  • полупроводниковые приборы

 

Внимание!

Закрыть