|
эффективное время жизни неравновесных носителей заряда диода
τэфф, τп, τр
Величина, характеризующая скорость убывания концентрации неравновесных носителей заряда диода вследствие рекомбинации как в объеме, так и на поверхности полупроводника.
[ГОСТ 25529-82]
|
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- полупроводниковые приборы
EN
- effective excess minority lifetime
|