|
реактивное ионное травление
Разновидность плазменного травления, при котором полупроводниковая подложка во время травления помещается электрод, питаемый ВЧ мощностью. Подложка приобретает потенциал, которым ускоряются травящие реагенты, извлеченные из плазмы по направлению к протравливаемой поверхности; реакция химического травления при этом происходит преимущественно в направлении, перпендикулярном к поверхности, то есть травление более анизотропно, чем при плазменном травлении, но менее избирательно; происходит повреждение протравливаемой поверхности; наиболее распространенный режим травления при производстве полупроводников.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html] |
EN |
|
FR |
|
|
Тематики
- полупроводниковые приборы
|