PTTC.PNG
Skip to main content.

МОП-транзистор

Дата последнего изменения:2012.11.01
Сообщить об ошибке
  МОП-транзистор
Полевой транзистор с МОП-структурой затвора; токи протекают в канале между истоком и стоком; канал создается при прикладывании соответствующего потенциала к выводу затвора и инвертировании поверхности полупроводника под затвором; МОП-структура реализуется почти исключительно для кремния оксида SiO2 для затвора; эффективное переключающее устройство, доминирующее в логических устройствах и устройствах памяти; р-МОП-транзистор (p-канал, кремниевая подложка n-типа) и n-МОП-транзистор (n-канал, кремниевая подложка p-типа) при объединении образуют базовую КМОП-ячейку.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html]
EN
 
FR
 

Тематики

  • полупроводниковые приборы

EN

  • MOSFET

 

Внимание!

Закрыть