PTTC.PNG
Skip to main content.

осаждение атомарных слоев

Дата последнего изменения:2012.11.01
Сообщить об ошибке
  осаждение атомарных слоев
Осаждение атомарных слоев, метод осаждения, при котором осаждение каждого атомарного слоя материала управляется предварительно осажденным слоем исходного реагента; исходные реагенты и различные компоненты пленки вводятся попеременно; особенности метода – 100 %-ое покрытие за один этап и очень хорошая конформность; метод используется, например, при осаждении разных диэлектриков для создания МОП-затворов.
[http://www.cscleansystems.com/glossary.html]
EN
 
FR
 

Тематики

  • полупроводниковые приборы

EN

  • ALD
  • atomic layer deposition

 

Внимание!

Закрыть