|
|
электронный микроскоп
Микроскоп для наблюдения и фотографирования многократного (до 106 раз) увелич. изображения объекта, в к-ром вместо световых лучей используются пучки эл-нов, ускоренных до больших энергий (30—100 кэВ и более) в условиях глубокого вакуума (1& +10 Па). В 1928 г. немец. ученые М. Кнолль и Р. Руске приступили к созданию первого магнитного просвечив. э. м. (ПЭМ) и спустя три года получили изображение объекта, сформиров. пучками эл-нов. Разрешающая способность (PC) совр. ПЭМ составляет 0,2—1,0 нм. Толщина, к-рую можно «просветить» эл-ным пучком, зависит от ускоряющего напряжения. В э. м. с напряжением 100 кВ изучают объекты толщиной от одного до неск. сотен нанометров.
ПЭМ подразделяют на три группы: э. м. высокого разрешения (0,2-0,3 нм), упрощенные ПЭМ и э. м. с повышенным ускоряющим напряжением. К 1-й группе относят универс. м. многоцел. назнач. с дополнит, устр-вами и приставками, позволяющими наклонять объект в разных плоскостях на большие углы, нагревать, охлаждать, деформировать его, вести РСА и пр. Упрощ. ПЭМ предназн. дляисследований, в к-рых не требуется высокая PC. Они более просты по конструкции, их отличают меньшее (обычно 60-80 кВ) ускор. напряж. и более низкая его стабильность. PC этих ПЭМ 0,6-1,5 нм. ПЭМ с повыш. ускоряющим напряжением (от 200 кВ) предназн. для исследования объектов в 2-3 раза толще ис-след. на обычных РЭМ. Их PC достигает 0,3— 0,5 нм. Созданы тж. сверхвысоковольтные э. м. (СВЭМ) высотой от 5 до 15 м с ускор. напряжением 0,5-0,65; 1-1,5 и 3 MB, предназнач. для исслед. объектов толщиной до 10 мкм. PC СВЭМ в 10-20 раз превосходит PC 100-кВ ПЭМ.
[http://metaltrade.ru/abc/a.htm] |
|
EN |
|
|
FR |
|
|
|
